选型手册：VSU070N65HS3 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VSU070N65HS3是一款面向 650V 高压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-247 封装，适配高压电源管理、DC/DC 转换器等领域。
一、产品基本信息
- 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
- 核心参数：
- 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：650V，适配高压供电场景；
- 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典型值460mΩ，\(V_{GS}=20V\)时典型值400mΩ，高压场景下传导损耗可控；
- 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
- 硅片约束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：48A；\(T_c=100^\circ\text{C}\)时降额为31A；
- 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：143A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），满足负载瞬时大电流需求。
二、核心特性
- Super Junction 工艺：适配高压场景，兼顾耐压与导通电阻的平衡；
- 高可靠性：通过 100% 雪崩测试与 100% Rg 测试，单脉冲雪崩能量达 1561mJ，抗冲击能力强；
- 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。
三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）
| 参数 | 符号 | 数值（Rating） | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源极击穿电压 | \(V_{DSS}\) |
650 | V |
| 栅源极电压 | \(V_{GS}\) |
±20 | V |
| 二极管连续正向电流 | \(I_S\) |
48 | A |
| 连续漏极电流（硅片约束） | \(I_D\) |
\(T_c=25^\circ\text{C}\): 48；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 31 |
A |
| 脉冲漏极电流 | \(I_{DM}\) |
143 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | \(E_{AS}\) |
1561 | mJ |
| 最大功耗（结温约束） | \(P_D\) |
53.3 | W |
| 结 - 壳热阻（Typ/Max） | \(R_{thJC}\) |
0.27 / 0.32 | ℃/W |
| 工作 / 存储温度范围 | \(T_J、T_{STG}\) |
-55~+150 | ℃ |
四、封装与应用场景
- 封装形式：TO-247 直插封装，包装规格为 300pcs/Tube，适配高压大电流散热需求的电路设计；
- 典型应用：
- 650V 级高压 DC/DC 转换器开关管；
- 工业设备的高压电源管理系统；
- 光伏、储能等高压场景的功率开关。
五、信息来源
威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）
