泽攸科技 | EBL和EUV光刻机有何区别？如何影响半导体行业？

从技术路径上看，电子束光刻和大家熟悉的EUV光刻并不是同一类问题的解法。电子束光刻本质上是一种直接写入技术，利用聚焦电子束在抗蚀剂上逐点曝光，通过电磁控制精确描绘图形。这种方式不依赖掩模，在设计频繁迭代的研发阶段非常有优势，尤其适合量子器件、新型材料结构、原型芯片以及掩模制作等场景。

EUV光刻则是典型的投影式光刻，通过极紫外光和复杂光学系统将掩模图形一次性转移到晶圆上，其核心价值在于产能和一致性，是先进逻辑和存储芯片量产不可或缺的手段。两者服务的并不是同一个需求层级，因此不存在简单的“替代关系”。

两种不同的电子束光刻（EBL）写入策略。（a）电子束直写（EBDW）使用高斯形光束，每次写入一个像素。（b）单元投影（CP）在模板上定义许多单元图案，一个单元图案被从第一个孔径偏转的方形光束完全覆盖，因此可以在一次曝光中完成写入

之所以电子束光刻长期存在于科研和小规模应用领域，原因并不在于分辨率，而在于效率。电子束直写属于串行曝光，即使单点精度很高，整体吞吐能力仍然受限，这在晶圆级量产中是难以接受的。但在研发阶段，这一“慢”的特性反而换来了极高的灵活性。对于需要反复修改版图、验证物理模型或探索新器件结构的研究团队来说，省去掩模制作流程往往比提高曝光速度更重要。这也是为什么在全球范围内，电子束光刻始终是先进工艺研发体系中不可或缺的一环。

如果从行业生态的角度来看，国产电子束光刻设备的意义更多体现在“补齐研发工具链”而非“冲击量产格局”。一台可稳定运行、可持续维护、软件和校正能力成熟的电子束系统，能够显著降低高校和研究机构在早期器件探索阶段对进口设备的依赖，也有助于培养本土在电子光学、运动控制、图形处理等方向的工程经验。这类积累往往是长期的、渐进的，很难通过一次发布就下结论。

泽攸科技EBL电子束光刻机

以泽攸科技为例，其在电子束相关设备上的定位本身就偏向科研与前沿应用场景，强调系统稳定性、样品台精度、电子光学控制以及与实际实验流程的适配。这类产品并不是为了追求极端参数，而是服务于“能不能长期用、好不好用、适不适合科研人员反复试验”这样的现实问题。从这个角度看，无论是“羲之”还是其他国产电子束设备，真正值得关注的并不是发布当天的指标描述，而是后续是否进入真实用户环境、是否经得起长时间运行和多课题组使用的检验。

大写场测试（左）最小线宽展示（右）

场拼接精度测试（左）套刻精度测试（右）

HSQ胶

厚胶测试