上海贝岭IGBT芯片BLG80T65FDK7-F实现批量交付

近日，上海贝岭IGBT芯片BLG80T65FDK7-F在头部客户40KW与60KW电源模块等项目中成功实现批量交付，为充电桩的高效、可靠运行注入强劲“芯”动力。

随着新能源汽车产业的蓬勃发展，市场对高效率、高功率快充基础设施的需求日益增强。充电桩核心部件——电源模块，正面临能量转换效率、小型化集成与散热性能等方面的严峻挑战，这也驱动着相关技术的持续迭代与创新升级。

从输入输出类型来看，电源模块主要包括AC-DC（交流转直流）与DC-DC（直流转直流）两大类。在AC-DC功率整流端，上海贝岭推出的第七代沟槽场截止（T-FS）IGBT——BLG80T65FDK7-F，具备较高开关频率，并以较低的Vce(sat)与开关损耗有效降低系统充电损耗，显著提升整体充电效率。该产品外观如图1所示。

图1 BLG80T65FDK7-F产品外观图

产品型号：BLG80T65FDK7-F

主要参数：VCES为650V

IC为80A

VCE(sat).typ为1.6V

工艺类型：第七代沟槽场截止（T-FS）

封装信息：TO247

应用领域：充电桩电源模块、光伏逆变、储能

产品特点：

1.开关性能优化，支持高开关频率，具备低栅极电荷（Qg）与低开关损耗；

2.低饱和压降VCE(sat)，有效降低导通损耗；

3.漏电流小，有助于提升系统能效与运行稳定性。

低开关损耗优势明显

图2 IGBT开关损耗对比

如图2所示，在25℃和 175℃条件下，我司 BLG80T65FDK7 产品 Eon、Eoff、Ets均优于竞品 H5系列；

低饱和压降VCE(sat)，有效降低导通损耗

图3 IGBT饱和压降VCE(sat)对比

如图3所示，在25 ℃和 175 ℃条件下，我司 BLG80T65FDK7 的 VCE(sat) 均优于竞品 H5系列；

低漏电流Ices，高温表现更稳

图4 IGBT漏电流Ices对比

如图4所示，在常温25℃条件下，我司BLG80T65FDK7的BV曲线与竞品一致；在高温175℃条件下，其漏电流远低于竞品。

为客户电源模块设计提供一站式选型服务

上海贝岭基于积塔半导体最新工艺平台为客户设计选型提供完善的功率产品系列，主要包括650V IGBT、1200V SIC MOS/FRD、超结及高压MOS等满足电源模块高可靠性、高效率的要求。

此外还为客户提供了电源管理芯片、存储器芯片、数字隔离器以及运放比较器等系列产品配套使用。

以直流电源模块三相 Vienna +全桥 LLC 拓扑为例提供主要功率器件产品选型建议请参考。

图5 直流电源模块三相 Vienna +全桥 LLC 拓扑

表1直流充电桩产品选型